研究方向

永利集团3044讲席教授罗锋博士(模拟IC设计、微纳加工与超精密制造团队10人:国家重大人才工程1,四青2,教授4,副高1,讲师1,专技1)的研究方向包括模拟IC设计(电源芯片)、工艺与器件集成的可靠性以及失效分析;极紫外光刻的光刻胶合成与评估,镜面抛光,掩模制作与缺陷检测,基于同步辐射、自由电子激光等大科学装置(同步辐射装置的小型化、专业化集成)极紫外光刻(曝光/检测);面向自旋电子学/量子传感的晶圆级器件的制造工艺、器件集成、微纳加工/超精密制造装备。离子束表面抛光与沉积设备;用于IC的纳米压印设备;EUV光学成像与检测设备】

目前学术与前沿技术关注方向:

1)低功耗高端电源管理芯片/车规级/宇航级超低静态电流高端智能电源管理芯片;聚焦静电放电ESD的集成电路可靠性设计测试失效分析技术;[永利集团3044电光学院招生]

2)极紫外光刻技术光刻胶合成制造与刻蚀评估;化学/物理沉积制备5nm工艺节点以下极紫外光刻胶及其在存储/GAA逻辑芯片工艺上的验证;极紫外光刻掩模设计与制造、极紫外光刻掩模检测;与同步辐射EUV相关的离子束镜面抛光工艺与装备;[材料/电光学院招生]

3)超低功耗自旋芯片/自旋电子学的新材料/器件;晶圆级微纳加工与制造新方法学/微纳混合制造工艺开发;基于磁电/磁光器件所特有的4D电镜和同步辐射光源的原位表征方法;基于同步辐射光源的sub-20nm芯片XCT无损检测与缺陷检测;[材料/电光学院招生]

48/12英寸纳米压印光刻关键的光刻胶材料、套刻压印工艺技术与专属化装备;6/8/12英寸离子束沉积/抛光/刻蚀关键工艺与专属化装备;[永利集团3044材料/电光学院招生]

https://ceo.nankai.edu.cn/szll/dzkxygcx/lfsp.htm 


永利集团3044建组后毕业学生去向:

刘钊【2022-2023博后,摩擦电子学】:中国科学院兰州化学物理研究所百人;摩擦学

高战胜【2019-2023博,二维铁磁材料与器件】:河南大学物理与电子学院讲师;http://kchenmat.henu.edu.cn/info/1216/1664.htm;低维材料合成与器件表征

张宇【2020-2023硕,二维铁磁异质结与器件表征】:天津瑞发科半导体IC设计


2024毕业生:硕士学生均已经拿到华为海思(3),小米上海,天津唯捷创芯等IC设计研发岗

李清清【2019博】;稀土高熵合金催化与自旋铁电/铁磁催化

程桐怀【2020博】:磁光器件与FIB微纳加工

孟逸飞【2021硕】:模拟电源IC设计;郭亚东【2021硕】:模拟电源IC设计;徐凌云【2021硕】:二维材料与器件加工;李世成【2021硕】:微纳光电器件设计与仿真;周经【2021宁帅硕】:铁电材料与器件 


课题组目前学生方向:

罗锋团队研究方向.png

一:光刻前沿技术【设计、材料、工艺与装备】

1)半导体电子敏感材料【高分辨光刻胶合成、机制、表征与性能评估】

乔洋【2021博】:EUV有机无机杂化光刻胶合成与表征

王兴坤【2022直博】:物理沉积EUV光刻胶合成与表征

许钰滔【2023博】:光刻胶合成与机理表征

陈舒仪【2022硕】:光刻胶理论计算;闫子欣【2022硕】:EUV杂化光刻胶合成与表征;单一洋【2022合作硕】:ALD工艺与设备

谢雅卓【2023硕】:EUV光刻胶合成与表征

2)掩模模板加工、缺陷检测、IC材料与器件无损检测 

程桐怀【2020博】:磁光器件与FIB微纳加工

刘一鸣【2022博】:磁光自旋/手性材料与器件加工

李长亮【2022博】:电子束加工与微纳光学器件

谢佳男【2023博】:X-射线检测与图像处理

李尤【2022合作硕】:刻蚀工艺与微纳光学器件;宫业辉【2022硕】:纳米压印工艺与技术

孙士心【2023硕】:FIB微纳加工与磁光器件

3)晶圆级器件加工与装备【光刻与刻蚀技术结合ALD联用】

史广月【2021博】:离子束刻蚀技术与微纳光学器件加工

张鸥【2022博】:金刚石色心加工与器件

王兵【2024博】:MEMS工艺与IC系统集成

王妍捷【2024直博】:MEMS器件与设计集成

李世成【2021硕】:微纳光电器件设计与仿真

张一驰【2022硕】:DSA与纳米压印光刻技术

黄泽昊【2023合作硕】:微纳加工与光学器件;高翔【2023硕】:半导体刻蚀与微纳制造

4)模拟IC与可靠性设计【模拟IC设计与器件可靠性设计】

蒋佳润【2022直博】:模拟IC电源芯片设计

伍波【2023直博】:模拟IC电源设计;李家庚【2023合作直博】:模拟IC电源设计

孟逸飞【2021硕】、郭亚东【2021硕】:模拟电源IC设计 

刘希【2022硕】、李赟【2022硕】:模拟电源IC设计

毛新瑞【2023硕】:模拟IC电源设计;任梦圆【2023硕】信号链ADC设计

任知鑫【2023合作硕】:数据存储安全;薛彬【2023硕】:工业控制安全

李桂琴【2024硕】:数据存储安全;路恒:嵌入式开发设计MCU,FPGA;张汉栋:模拟电路设计

二:自旋与铁电存储器件物性调控、耦合机制与器件晶圆级加工

李清清【2019博】;稀土高熵合金催化与自旋铁电/铁磁催化

管乐【2021博】:PLD铁电薄膜材料与器件;马翼飞【2021博】:SOT-MRAM材料与器件

鄢峰波【2022博】:PLD磁电薄膜材料与器件

刘俊峰【2023博】:磁-光-电-耦合超快表征与仪器开发

周经【2021宁帅硕】:铁电材料与器件;徐凌云【2021硕】:二维材料与器件加工

杨金川【2022硕】:铁电材料与器件;吴劲锐【2022宁帅硕】磁电材料与器件;姚蕊【2022合作硕】:二维磁电材料与器件;孙畅【2022合作硕】:稀土高熵合金自旋电催化

王会新【2023宁帅硕】:磁电材料与器件;唐牧寒【2023硕】FESO器件与超快表征;梁召垒【2023硕】:稀土高熵合金热催化


2024年研究生招收方向:【以下方向常年欢迎博后申请】

1.光刻胶合成与性能表征和光化学反应机理【3044am永利集团官网硕士2:EUV物理沉积光刻胶1,杂化EUV光刻胶1】

有机无机杂化EUV光刻胶、干法物理沉积光刻胶、纳米压印用光刻胶、DSA+EUV/纳米压印、光刻胶抗刻蚀性与光刻胶光反应机理

2.集成电路先进节点刻、刻蚀、沉积等关键工艺与装备【电光学院光学所合作硕士2:激光表面超精密加工1,微纳工艺与光学器件1】

EUV光刻技术、8/12英寸纳米压印工艺与设备、RIE/IBE/ALE 刻蚀工艺与设备、离子束加工的工艺与设备、ALD/MLD 沉积设备

3.自旋薄膜材料与存储器件物性调控与晶圆级器件IC集成 【电光学院电子科学与技术硕士1:微纳制造与器件IC集成设计

氧化铪铁电材料与3D NAND器件、稀土氧化物薄膜磁电耦合材料与器件、亚铁磁 SOT-MRAM材料与器件/磁光材料与手性微纳器件、磁与光相互作用的超快表征技术与设备开发【二维与有机自旋体系】;模拟电源、数模混合信号链以及MEMS集成电路设计与电路系统集成

4.半导体器件可靠性、掩模制造与检测与原位检测表征方法学 【上海光源合作】

纳米压印模板制造与缺陷检测、EUV掩模版制造、掩模缺陷检测、3D NAND/DRAM/GAA器件检测、基于同步辐射的原位无损器件分析、基于4D电镜的原位无损器件分析


欢迎本科生来实验室在上述方向做科研实践和大创项目!


课题组长期招收上述方向讲师/副教授1(编制);百青计划博导1(tenure track),全年招收1-2 助理研究员/博士后(2年续聘后可转编)!【feng.luo@nankai.edu.cn】


永利集团3044半导体芯片材料与器件加工团队在材料生长方向拥有脉冲激光沉积PLD、原子层沉积ALD、CVD、MOCVD、PEMOVCVD、PEALD、MLD和磁控溅射等多套先进设备,BTU高温氧化扩散炉和快速热退火炉设备(RTA),在光刻(激光直写/纳米压印/电子束曝光/极紫外光刻)、刻蚀(RIE/IB)等方向拥有多台晶圆级设备,可以完成完整的工艺研发流片测试工作。关键技术包括EUV光刻干式光刻胶的研发工艺,纳米压印图形化平台,GAA刻蚀设备,原子层沉积与刻蚀ALD/ALE加工平台,在材料表征和性能测试方向拥有原子力显微镜、聚焦离子束显微镜、XPS、综合物性测量系统、VSM、以及4D透射/扫描电子显微镜等,还基于同步辐射集成电路元器件原位表征平台成立了上海光源/永利集团3044联合实验室。中心的集成电路失效分析实验室已储备集成电路可靠性测试能力,包括ESD测试(HBM/CDM)、LU测试、EOS测试、浪涌测试、TLP测试、电磁兼容测试、环境测试等方面;可提供电性故障分析、材料成分分析、切面结构分析、电路切割、电路修补、竞品设计分析等可靠性分析服务。成功解决了大规模SOC产品、多电源域多管脚产品、RF高频产品、高压产品和finfet等产品的ESD可靠性问题。涉及工艺:包括传统的CMOSBCDSOI工艺,以及目前最前沿的3D FINFET工艺(国内尚未成熟)。并与多家公司和科研单位具有长期稳定的深度合作关系,包括江苏鲁汶仪器、中科院微电子所先导工艺研发平台等,用于大型装备自主研发的能力。目前在电光学院已经形成一支在模拟芯片设计(射频芯片、电源管理芯片和数模信号转换器)和芯片可靠性测试以及失效分析方向的研究团队。材料学院的团队在极紫外光刻方向注重加强与半导体工业届紧密联系,通过与光刻胶企业彤程微电子、北京科华,芯片设计制造企业华为海思、长鑫存储、中芯国际、比利时IMEC,半导体设备公司鲁汶仪器、天仁微纳、极智芯科技等紧密合作,结合大科学装置如瑞士光源、美国APS光源、上海光源等公共科研平台,聚焦在sub-7nm工艺节点半导体先进制程的关键材料、工艺与装备方向。

个人简历

罗锋博士201012月加入马德里高等研究院纳米研究所,201312月提前获得研究教授(终身教职副教授)20166月晋升为资深研究教授(终身教职正教授)20211月全职加入3044am永利集团官网任讲席教授。罗锋博士主要研究方向为:集成电路相关多项产业技术包括可靠性保护技术、可靠性失效分析技术、超低功耗设计技术、传感器芯片设计技术;在微加工技术与精密制造/先进纳加工技术等均取得代表性的工作;主持西班牙杰出青年基金,西班牙面上基金和参与中国基金委重大项目,基金委纳米制造重大计划。本课题组在工业应用领域关注于超高密度的磁存储如硬盘(HDD),非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储(MRAM)的关键技术以及微机电系统/纳机电系统(MEMS/NEMS)磁光/磁电传感器阵列技术。与硬盘企业希捷(Seagate) 日立全球技术中心/西部数据(Hitachi GST/West Digital);磁性随机存储研究机构比利时微电子中心(IMEC)/法国能源署信息技术实验室磁自旋技术部(CEA-LETI-SPINTEC)以及企业 eVaderis/Leuven Instruments/上海磁宇;半导体企业华为,小米,磁电传感器公司 Crocus/Hprobe;与纳米压印公司 GermanLitho等均保持紧密的合作伙伴关系。

2021.01-现在,3044am永利集团官网讲席教授

2018.01-2020.12,西安交通大学机械工程学院校聘讲座教授

2016.07-2020.12,西班牙马德里高研院纳米科学与技术研究所,教授(Tenured)

2010.12-2016.06,西班牙马德里高研院纳米科学与技术研究所,研究教授(Tenured)

2009.11-2010.11,北大学工学院材料科学与工程系,特聘研究员PI

2006.10-2009.11,瑞士保罗谢尔研究所微纳技术实验室,博士后,导师ETHZ教授Laura Heyderman

2004.10-2006.10,德国马克思-普朗克微结构与物理研究所,博士后,导师 J.Kirschner

1999.09-2004.06, 北京大学化学与分子工程学院,材料化学博士/导师严纯华院士

1995.09-1999.06, 北京大学化学与分子工程学院,物理化学本科/导师刘忠范院士

科研项目:

1.科技部重点研发专项"面向Sub-7nm 先进工艺节点集成电路核心器件的同步辐射表征技术及应用",2022-2026,520万/1850万,课题负责人。

2.科技部重点研发专项"生物纳米孔基因测序仪",2022-2024,200万/4000万(2000万公司匹配),课题参与。

3.基金委重大项目"非常规激发染料的构效调控及产品工程科学基础",2021-2024,100万,EUV光刻胶课题参与。

4.横向课题,2023-2023,220万,课题负责人。


代表性成果

在微纳加工技术/超精密制造装备与超高密度磁存储关键工艺取得一些有代表性的工作:

1)7nm node 极紫外(EUV)光刻技术曝光剂研发,7nm Node/13nm 周期 EUV 干涉光刻(IL)工艺,用于 EUV/X-ray 阵列技术的 Si3N4掩模制造工艺; 

2)利用 EUVIL 制备出光学方法所能得到的 20nm 最小二维点阵用于下一代的磁记录介质;

3)8/12 英寸下一代 Sub-20nm 自旋转移转矩磁性随机存储芯片 STT-MRAM工艺(与最好的三星工艺技术相媲美),50nm 分辨率, 1:7.5 全球最高的深宽比结构的 8/12英寸纳米压印装备用于磁传感器阵列工艺;

4)与 GermanLitho/ 天仁微纳科技和 Leuven Instrument 产学研合作,共同开发出专注于磁传感器阵列/MRAM 2/4/6/8 英寸纳米压印专用设备和 8/12 英寸 RIE/IBE 双刻蚀技术磁性材料专属刻蚀装备。


【文章列表】:https://orcid.org/0000-0003-3442-3987  ;https://webofscience.clarivate.cn/wos/author/record/E-3683-2012 ;

2024发表文章4+2 篇;2023发表文章26+2 篇;2022发表文章12篇,部分文章如下:

10. Qiuzhen Xu, Gen Li, Yanyan Liu, Feng Luo *and Zhiming Xiao*A 64-Channel Inverter-Based Neural Signal Recording Amplifier with A Novel Differential-like OTA achieving an NEF of 0.84,IEEE Journal of Solid-State Circuits 2024, Accepted, DOI: 10.1109/JSSC.2024.3363130.

9  Ai, W#, Fu, H. X*, Luo, F*, Deng, M. X.*, Wu, J.*et al. Observation of giant room-temperature anisotropic magnetoresistance in  topological insulator. Nature Communications, 2024, 15, 1259. 

8. Kui Meng#, Zeya Li#Zhansheng Gao#, Junwei Huang*, Jinxiong Wu*, Feng Luo, Hongtao Yuan*, et al.  Gate-tunable Berry curvature in van der Waals itinerant ferromagnetic Cr7Te8InfoMat.2024;e12524. 

Zhansheng Gao*, Baojuan Xin, Wei-Hua Wang*, Feng Luo*, et al. Above-room-temperature ferromagnetism in copper-doped two-dimensional chromium-based nanosheets. ACS Nano, 2024, 18, 1, 703–712.

6. Zhansheng Gao, Jinxiong Wu*, Feng Luo*et al. Large and tunable magnetoresistance in Cr1-xTe/Al2O3/Cr1-xTe vertical spin valve device. Advanced Electronic Materials, 2023, 9, 2200823.

5. Zhang, Z#; Dong, X#;  Du, Y.*, Fu, H.*, Luo, F.*,,Wu, J.*,et al. Transferred polymer-encapsulated metal electrodes for electrical transport measurements on ultrathin air-sensitive crystals. Small Methods, 2023, 2300177.

4. Zhang, L#, He, Y.#, Zhou, Z*, Luo, F*, Wu, J.*, et al. Controlled synthesis of a high-mobility Bi3O2.5Se2 semiconductor by oxidatioin of Bi2Se3 for fast and highly sensitive photodetectors. Laser Photonics & Reviews, 2023, 2300854. 

3. Y. Zhang, K. Zou, Z. Gao, Y. Ma, L. Xu, F. Lu, Z. Luo, W.-H. Wang*, S. Ning*, F. Luo*, Large Negative Magnetoresistance in All‐2D‐Materials‐Based Spin Valves, Physica Status Solidi – Rapid Research Letters 2023, 2300073.

2. Zhansheng Gao#Ming Tang#, Junwei Huang#, Hongtao Yuan*, Jinxiong Wu*, Feng Luo*, et al. Near room-temperature ferromagnetism in air-stable two-dimensional Cr1-xTe grown by chemical vapor deposition. Nano Research2022, 15, 3763-3769.

1. Shuai Ning, Haoliang Liu, Jinxiong Wu, Feng Luo*, Challenges and opportunities for spintronics based on spin orbit torque, Fundamental Research, 20222, 535.